SD233N36S50PSC

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Produktübersicht

Artikelnummer:	SD233N36S50PSC
Hersteller / Marke:	Vishay / Semiconductor - Opto Division
Produktbeschreibung	DIODE GEN PURP 3.6KV 235A B8
Datenblätte:	SD233N36S50PSC.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	3331 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3331 pcs

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Spezifikationen von SD233N36S50PSC

Artikelnummer	SD233N36S50PSC	Hersteller	Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung	DIODE GEN PURP 3.6KV 235A B8	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	3331 pcs	Datenblatt	SD233N36S50PSC.pdf
Spannung - Spitzensperr- (max)	Standard	Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	235A
Spannung - Durchschlag	B-8	Serie	-
RoHS Status	Bulk	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Widerstand @ If, F	-	Polarisation	B-8
Andere Namen	*SD233N36S50PSC	Betriebstemperatur - Anschluss	5µs
Befestigungsart	Chassis, Stud Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer	SD233N36S50PSC	Expanded Beschreibung	Diode Standard 3600V (3.6kV) 235A Chassis, Stud Mount B-8
Diodenkonfiguration	50mA @ 3600V	Beschreibung	DIODE GEN PURP 3.6KV 235A B8
Strom - Sperrleckstrom @ Vr	3.2V @ 1000A	Strom - Richt (Io) (pro Diode)	3600V (3.6kV)
Kapazität @ Vr, F	-40°C ~ 125°C

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(NUR FÜR Integrierte Schaltungen, Schaltungsschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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