RN2112ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Produktübersicht

Artikelnummer:	RN2112ACT(TPL3)
Hersteller / Marke:	Touchstone Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
Datenblätte:	RN2112ACT(TPL3).pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	1616494 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1616494 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von RN2112ACT(TPL3)

Artikelnummer	RN2112ACT(TPL3)	Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung	TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	1616494 pcs	Datenblatt	RN2112ACT(TPL3).pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	80mA	Spannung - Durchschlag	CST3
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	50V	Serie	-
RoHS Status	Tape & Reel (TR)	Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm)	22k
Widerstand - Base (R1) (Ohm)	-	Leistung - max	100mW
Polarisation	SC-101, SOT-883	Andere Namen	RN2112ACT(TPL3)TR
Rauschzahl (dB Typ @ f)	-	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller-Teilenummer	RN2112ACT(TPL3)
Frequenz - Übergang	120 @ 1mA, 5V	Expanded Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
Beschreibung	TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	100nA (ICBO)
Strom - Collector Cutoff (Max)	150mV @ 250µA, 5mA	Strom - Kollektor (Ic) (max)	PNP - Pre-Biased

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