NVMFD5483NLT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	NVMFD5483NLT1G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
Datenblätte:	NVMFD5483NLT1G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	81193 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 81193 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1500 pcs: $0.423

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Spezifikationen von NVMFD5483NLT1G

Artikelnummer	NVMFD5483NLT1G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	81193 pcs	Datenblatt	NVMFD5483NLT1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	36 mOhm @ 15A, 10V
Leistung - max	3.1W	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	39 Weeks	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	668pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23.4nC @ 10V
Typ FET	2 N-Channel (Dual)	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.4A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6.4A

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Nach dem Verkauf
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(NUR FÜR Integrierte Schaltungen, Schaltungsschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

FEDEX	www.FedEx.com	Ab 35,00 US-Dollar hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 US-Dollar hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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